Varenummer: 3303620

Samsung 990 EVO Plus SSD - 1TB - M.2 2280 - PCIe 4.0

SSD (Solid State Drive), 1 TB, innvendig, overførselshastighet: 7150 MB/s (les) / 6300 MB/s (skriv), IOPS: 850000 IOPS (les) / 1350000 IOPS (skriv), størrelse: M.2 2280 (80mm), PCI-Express 4.0 x4 / PCI-Express 5.0 x2 forbindelse, NVMe 2.0 (Non-Volatile Memory Express), Samsung controller

På lager
2 590,00 kr 2 072,00 kr eksl. mva
Gratis frakt (privatkunde)
15+ stk. På lager - 1-3 dager til levering

Samsung 990 EVO Plus er en intern solid state-disk som er utviklet for krevende bruksområder. Med en robust kapasitet på opp til 4 TB sikrer den rikelig med lagringsplass for en rekke filer og programmer. Disken bruker PCI Express 5.0 og kan skilte med interne datahastigheter på opptil 7150 MBps, noe som gir rask datahenting og minimale innlastingstider.
Samsungs V-NAND TLC-teknologi forbedrer ytelsen og utholdenheten, noe som gjør den egnet for både daglig databehandling og intensive oppgaver. Denne disken er konstruert for å tåle en rekke ulike miljøforhold, og fungerer effektivt i temperaturer fra 0° C til 70° C og tåler lagringstemperaturer så lave som -40° C og så høye som 85° C.
Den har TRIM-støtte og en algoritme for automatisk søppeloppsamling, noe som sikrer optimal ytelse over tid. Sikkerheten er prioritert med maskinvarekryptering og samsvar med TCG Opal Encryption 2.0, noe som beskytter data mot uautorisert tilgang.

Produsent
Varenummer
3303620
Model
MZ-V9S1T0BW
Ean
8806095575674
Til produsentens hjemmeside
Produktbeskrivelse
Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S1T0 - SSD - 1 TB - PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Type
Fast tilstand-stasjon - intern
Kapasitet
1 TB
Maskinvarekryptering
Ja
Krypteringsalgoritme
256-bit AES
NAND-flashminnetype
Trippelnivåcelle (TLC)
Produktformfaktor
M.2 2280
Grensesnitt
PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Features
Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Device Sleep-støtte, Host Memory Buffer (HMB), TRIM-støtte, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667
Dimensjoner (BxDxH)
22.15 mm x 80.15 mm x 2.38 mm
Vekt
9 g

Generelt

Enhetstype
Fast tilstand-stasjon - intern
Kapasitet
1 TB
Maskinvarekryptering
Ja
Krypteringsalgoritme
256-bit AES
NAND-flashminnetype
Trippelnivåcelle (TLC)
Produktformfaktor
M.2 2280
Grensesnitt
PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Features
Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Device Sleep-støtte, Host Memory Buffer (HMB), TRIM-støtte, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667
Bredde
22.15 mm
Dybde
80.15 mm
Høyde
2.38 mm
Vekt
9 g

Ytelse

Intern datahastighet
7150 MBps (les) / 6300 MBps (skriv)
Maksimum 4 KB-direkteskrivning
1350000 IOPS
Maksimum 4 KB-vilkårlig lesning
850000 IOPS

Pålitelighet

MTBF
1.500.000 timer

Utvidelse og konnektivitet

Kompatibel brønn
M.2 2280

Strømforsyning

Strømforbruk
4.3 watt (lese)
4.2 watt (skrive)
60 mW (standby)
5 mW (dvalemodus)

Programvare & Systemkrav

Inkludert programvare
Samsung Magician Software

Diverse

Innbyggingsmateriale
Nikkelbelegg

Miljøparametere

Min. driftstemperatur
0 °C
Maks. Driftstemperatur
70 °C
Støttoleranse (ikke-operativ)
1500 g @ 0,5 ms
Vibrasjonstoleranse (ikke-operativ)
20 g @ 20-2000 Hz

Ovenstående informasjon/spesifikasjoner er veiledende og kan uten varsel bli endret av produsenten. Det tas forbehold om trykkfeil og illustrerende bilder. Enkelte tekster kan være autogenerert eller maskinoversatt, så derfor kan det forekomme tekster som virker misvisende.