Hjelp

SSD - Samsung 990 PRO Heatsink SSD PCIe 4.0 NVMe M.2 - 2TB - MZ-V9P2T0CW / GW
Varenummer: 3173145
MZ-V9P2T0CW / GW
MZ-V9P2T0CW / GW
MZ-V9P2T0CW / GW
MZ-V9P2T0CW / GW
MZ-V9P2T0CW / GW
MZ-V9P2T0CW / GW
MZ-V9P2T0CW / GW

Samsung 990 PRO Heatsink SSD PCIe 4.0 NVMe M.2 - 2TB

SSD (Solid State Drive), 2 TB, innvendig, overførselshastighet: 7450 Mbps (les) / 6900 Mbps (skriv), IOPS: 1400000 Mbps (les) / 1550000 Mbps (skriv), 2GB LPDDR4 RAM, størrelse: M.2 2280 (80mm), PCI-Express 4.0 x4 forbindelse, NVMe 2.0 (Non-Volatile Memory Express), 256 bit maskinvarekryptering TCG Opal, DirectStorage kompatibel, Samsung Pascal S4LV008 controller, NB! Bulkpakket (uten tilbehør)

1 975,00 kr
1 580,00 kr eksl. mva
+15 stk. På lager - 1-3 dager til levering
Rimeligste private frakt: 0,00 kr

Reach max performance of PCIe 4.0. Experience longer-lasting, opponent-blasting speed. The in-house controller's smart heat control delivers supreme power efficiency while maintaining ferocious speed and performance, to always keep you at the top of your game.

Produsent
Varenummer
3173145
Model
MZ-V9P2T0CW / GW
Ean
8806094413755
Til produsentens hjemmeside
Produktbeskrivelse
Samsung 990 PRO MZ-V9P2T0CW - SSD - 2 TB - PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Type
Fast tilstand-stasjon - intern
Kapasitet
2 TB
Integrert kjøle
Ja
Maskinvarekryptering
Ja
Krypteringsalgoritme
256-bit AES
NAND-flashminnetype
Multinivåscelle (MLC)
Produktformfaktor
M.2 2280
Grensesnitt
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Features
Dvalemodus, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, 2 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, S.M.A.R.T., NVMe 2.0
Dimensjoner (BxDxH)
24.3 mm x 80 mm x 8.2 mm
Vekt
28 g
Designet for
Sony PlayStation 5

Generelt

Enhetstype
Fast tilstand-stasjon - intern
Kapasitet
2 TB
Maskinvarekryptering
Ja
Krypteringsalgoritme
256-bit AES
NAND-flashminnetype
Multinivåscelle (MLC)
Integrert kjøle
Ja
Produktformfaktor
M.2 2280
Grensesnitt
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Features
Dvalemodus, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, 2 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, S.M.A.R.T., NVMe 2.0
Bredde
24.3 mm
Dybde
80 mm
Høyde
8.2 mm
Vekt
28 g

Ytelse

Intern datahastighet
7450 MBps (les) / 6900 MBps (skriv)
Maksimum 4 KB-direkteskrivning
1550000 IOPS
Maksimum 4 KB-vilkårlig lesning
1400000 IOPS

Pålitelighet

MTBF
1,500,000 timer

Utvidelse og konnektivitet

Grensesnitt
PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Kompatibel brønn
M.2 2280

Strømforsyning

Strømforbruk
5.8 watt (lese)
5.1 watt (skrive)
55 mW (inaktiv)
5 mW (L1.2-modus)

Programvare & Systemkrav

Inkludert programvare
Samsung Magician Software

Diverse

Tilpassede standarder
IEEE 1667
Pakkedetaljer
Boks

Miljøparametere

Min. driftstemperatur
0 °C
Maks. Driftstemperatur
70 °C
Min. oppbevaringstemperatur
-40 °C
Maks. oppbevaringstemperatur
85 °C
Driftsfuktighet
5 - 95 % (ikke-kondenserende)
Støttoleranse (ikke-operativ)
1500 g
Vibrasjonstoleranse (ikke-operativ)
20 g @ 20-2000 Hz

Ovenstående informasjon/spesifikasjoner er veiledende og kan uten varsel bli endret av produsenten. Det tas forbehold om trykkfeil og illustrerende bilder. Enkelte tekster kan være autogenerert eller maskinoversatt, så derfor kan det forekomme tekster som virker misvisende.